世界杯买球平台:日本瑞萨将对甲府的甲府工厂进

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瑞萨日本今天宣布，将在甲府的甲府工厂投资 900 亿日元。他们指出，虽然工厂于 2014 年 10 月关闭，但瑞萨电子计划在 2024 年重新开放工厂，作为能够制造 IGBT 和功率 MOSFET 的 300 毫米功率半导体工厂。

瑞萨表示，随着碳中和势头的增长，预计全球对供应和管理电力的高效功率半导体的需求将急剧增加。尤其是瑞萨，预计电动汽车 (EV) 的需求将快速增长，因此计划提高其 IGBT 等功率半导体的产能，为脱碳做出贡献。一旦甲府工厂实现量产，瑞萨功率半导体的总产能将翻一番。

世界杯买球平台瑞萨电子全资子公司瑞萨半导体制造有限公司甲府工厂此前运营150mm和200mm晶圆生产线。为了提高产能，瑞萨决定利用工厂的剩余建筑，将其恢复为专用于功率半导体的 300mm 晶圆厂。

瑞萨电子总裁兼首席执行官 Hidetoshi Shibata 表示：“可持续发展是我们的核心，以‘让我们的生活更轻松’为目标，我们希望建立一个可持续的未来，我们的半导体技术和解决方案有助于让我们的生活更轻松。” “这项投资使我们拥有最大的专用于功率半导体的晶圆生产线，这是脱碳的关键。我们将继续进行必要的投资以提高我们的内部生产能力，同时进一步加强与外包合作伙伴的联系。作为回应对于中长期需求增长，瑞萨电子仍致力于确保供应并为我们的客户提供最佳支持。”

东芝扩大 SiC 和 GaN 的生产，大大改进了功率半导体

世界杯买球平台今年早些时候，东芝子公司表示将在 4 月开始的新财年增加资本支出，以在需求强劲的情况下扩大其主要生产基地的功率半导体器件产能。

东芝电子器件与存储设备公司已为 2022 财年指定投资 1000 亿日元（8.39 亿美元），比其 2021 财年预计的 690 亿日元高出约 45%。

这笔资金将资助在石川县的生产子公司加贺东芝电子的现场建设一个新的制造设施，该设施计划于 2023 年春季开始。它还将包括在现有结构内安装一条新的生产线。此次升级预计将使东芝的功率半导体产能提高约 150%。

功率器件用于电子设备中的供电和控制，有助于减少能量损失。随着朝着碳中和社会的努力加速和车辆电气化，需求正在增加。

产能扩张将不仅涵盖由硅片制成的功率器件，还包括以碳化硅和氮化镓为晶圆的下一代芯片。

东芝还将扩大对硬盘驱动器的投资，这是另一个主要产品类别。它已开发出将存储容量增加到超过 30 TB 的技术，或比当前可用水平高出 70% 以上，并且正在致力于早期商业化。

东芝电子器件与存储设备公司正在展望数据中心和电力设备的硬盘驱动器的增长，并正在紧急加大在这两个领域的投资。为了加强其重点，该部门在 2020 财年重组了其业务，结束了片上系统业务的新发展。

在截至 2025 财年的五年内，东芝已拨出 2900 亿日元用于设备业务，而上一个五年期间为 1500 亿日元。该集团在当前五年任期的前两年已使用了约 60% 的预算，如有必要，将考虑增加支出。

该集团已宣布计划拆分为三个专注于基础设施、设备和半导体存储器的公司。但大股东对此表示反对，分拆能否实现尚不确定。

三菱电机：1300亿投资功率半导体，规划8英寸SiC

三菱电机于 2021 年 11 月 9 日召开功率器件业务事业说明会，宣布将在 2025 年之前的 5 年内向功率半导体业务投资 1,300 亿日元。公司计划新建 12 英寸福山工厂（广岛县福山市）的 (300mm) 晶圆生产线，计划到 2025 年将产能比 2020 年翻一番。

据该公司称，由于汽车自动化、消费类设备逆变器和工业/可再生能源节约需求的进步，2020 年至 2025 年间，功率设备市场将以 12% 的复合年增长率 (CAGR) 增长。以及电气化铁路的发展，自动化的进步。预计会以较快的速度扩张。

功率器件市场前景

三菱电机已将公司功率器件业务的目标定为到2025年实现销售额超过2400亿日元，营业利润率达到10%以上。为实现这一目标，三菱电机将专注于具有更高增长的汽车领域预期和公司拥有较高市场份额的消费领域。这两个行业按行业划分的销售额占比将从2020年的50%提高到2025年的65%。

公司发展目标和经营方针

三菱电机还表示，与 2020 年相比，它计划到 2025 年将其晶圆制造（前端处理）能力翻一番。包装和检查（后端处理）也将“及时且适当地投入”以满足未来的需求。根据三菱电机的计划，公司将在未来五年（至2025年）投资约1300亿日元。

这种投资的一个典型例子是在福山工厂建设 8 英寸（200 毫米）和 12 英寸生产线。8英寸线将于2021年11月开始试运行，计划于2022年春季开始量产。12英寸线的量产目标是2024年。

固定投资计划摘要

新的12英寸生产线具有通过自动化增加晶圆直径和提高生产率的优势，以及独特的“CSTBT单元结构”晶圆，通过在内部增加载流子存储层来实现低损耗。通过这一改进，三菱电机希望实现低损耗和提高生产率，三菱电机也将其应用于RC-IGBT，以实现产品差异化，而汽车和消费领域将是该公司率先采用这些产品的领域。目标市场。

三菱电机还表示，该公司也在加大对 SiC 的研发力度，具有从大型电动汽车向中型电动汽车扩展的潜力。除了将独特的制造工艺应用于沟槽 MOSFET 以进一步提高性能和生产力外，该公司还在考虑制造 8 英寸硅晶片。

“我们将根据客户的需求适当使用硅和 SiC，从而加强我们的业务。通过提供集成硅芯片/SiC 芯片的模块阵容，我们将满足客户从小到大的多样化需求，”该公司说。说。

富士电机表示将增加功率半导体的产量

2022年1月27日，富士电机表示，将增加功率半导体生产基地富士电机津轻半导体（青森县五所川原市/以下简称津轻工厂）的SiC（碳化硅）产能。量产计划在截至 2025 年 3 月的财政年度开始。

未来五年，富士电机将扩建8英寸硅片前端生产线，并进行与功率半导体相关的资本投资，总金额为1200亿日元。但是，为了应对电动汽车和可再生能源对功率半导体的需求增加，富士电机决定追加投资，包括在津轻工厂建设 SiC 功率半导体生产线。

“功率半导体的资本投资预计将增加到1900亿日元，”该公司表示。

罗马，继续增持 SiC

为了抓住电动汽车（EV）的商机，日本工厂正忙于增加用于电动汽车的下一代半导体“碳化硅（SiC）功率半导体”的产量。

据日经新闻早前报道，由于对电动汽车（EV）的需求增长持乐观态度，罗姆等日本制造商已开始增加节能性能提高的下一代电动汽车半导体的产量。日本各家工厂的增产目标是用于提供和控制电力的“功率半导体”产品，但使用的材料不是目前主流的硅（Si）东芝半导体与存储产品，而是碳化硅（SiC）。如果在EV逆变器中使用SiC功率半导体，可以降低5-8%的功耗，增加续航里程。目前，特斯拉和中国汽车制造商已经开始在部分车型中使用碳化硅功率半导体。

报告指出，由于对电动汽车的需求有望迅速扩大感到乐观，罗姆将投资500亿日元，目标是到2025年将SiC功率半导体产能提高到目前水平的5倍以上。罗姆在筑后市的工厂，福冈县新建了SiC工厂，计划2022年投产。中国吉利汽车的EV已决定使用罗姆的SiC功率半导体产品，罗姆的目标是在前期抢占全球市场份额。从目前的近20%到30%。

ROHM一直是该领域的领导者，2010年量产了世界上第一个SiC晶体管。2009年收购的德国子公司SiCrystal生产SiC晶片，使ROHM从头到尾都有完整的生产能力。它最近在日本福冈县的一家工厂开设了一个额外的生产设施，作为将其产能提高两倍以上的计划的一部分。

联电联手电装在日本建设12英寸IGBT生产线

此前，日本电装（DENSO）宣布，公司将与全球半导体代工厂联合微电子达成协议，同意在联电日本晶圆厂的子公司USJC 300mm晶圆厂合作生产功率半导体，以满足需求。的汽车。市场需求不断增长。

USJC 的晶圆厂将拥有一条绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 生产线，这将是日本第一条在 300 毫米晶圆上生产 IGBT 的生产线。DENSO 将贡献其面向系统的 IGBT 器件和工艺技术，而 USJC 将提供其 300mm 晶圆制造能力以量产 300mm IGBT 工艺，该工艺计划于 2023 年上半年开始。合作得到了一项计划的支持对日本经济产业省不可或缺的半导体进行改造和脱碳。

随着全球减少碳排放的努力加速了电动汽车的开发和采用，汽车电气化所需的半导体需求正在迅速增加。IGBT是功率卡中的核心器件，用作逆变器中的高效功率开关，将直流和交流电流转换为驱动和控制电动汽车电机。

“DENSO 很高兴成为日本首批开始在 300mm 晶圆上量产 IGBT 的公司之一，”Denso 总裁 Koji Arima 说。“随着包括自动驾驶和电气化在内的移动技术的发展东芝半导体与存储产品，半导体在汽车行业中变得越来越重要。通过此次合作，我们将为稳定供应功率半导体和车辆电气化做出贡献。”

“作为日本的主要代工厂，USJC 致力于支持政府促进国内半导体生产和向绿色电动汽车过渡的战略，”USJC 总裁 Michiari Kawano 说。“我们相信，我们经过汽车客户认证的代工服务与电装的专业知识相结合，将生产出能够推动未来汽车趋势的高质量产品。”

“我们很高兴与电装这样的领先公司进行这种双赢的合作。这是联电的一个重要项目，它将扩大我们在汽车领域的相关性和影响力，”联电联席总裁 Jason Wang 说。“凭借我们强大的先进专业知识组合和在不同地点的 IATF 16949 认证晶圆厂，联华电子有能力满足汽车应用的需求，包括先进的驾驶辅助系统、信息娱乐、连接和动力系统。我们期待利用更多的合作机会未来与汽车领域的顶级玩家合作。”

此外，去年12月东芝半导体与存储产品，电装还宣布，为实现低碳社会，其搭载高品质碳化硅（SiC）功率半导体的最新型号升压功率模块已开始量产，用于 2020 年 12 月 9 日上市的丰田新 Mirai 车型。

DENSO 在演讲中表示，该公司开发了 REVOSIC 技术，旨在将 SiC 功率半导体（二极管和晶体管）应用于汽车应用。他们指出，与传统硅（Si）相比，碳化硅是一种在高温、高频和高压环境下性能优越的半导体材料。因此，在关键器件中使用 SiC 以显着降低系统的功率损耗、尺寸和重量并加速电气化已经引起了相当大的关注。

2014 年，DENSO 推出了用于非汽车应用的 SiC 晶体管东芝半导体与存储产品，并将其商业化用于音频产品。DENSO 继续研究车载应用，2018 年丰田在其 Sora 燃料电池客车中使用了车载 SiC 二极管。

现在，DENSO 开发了一种新的汽车 SiC 晶体管，这标志着 DENSO 首次将 SiC 用于汽车二极管和晶体管。新开发的 SiC 晶体管在汽车环境中提供了高可靠性和高性能，这对半导体提出了挑战，这得益于 DENSO 独特的结构和加工技术，它应用了沟槽栅 MOSFET。搭载 SiC 功率半导体（二极管、晶体管）的新型升压功率模块与搭载 Si 功率半导体的传统产品相比，体积缩小约 30%，功耗降低约 70%，有助于小型化。升压功率模块，提高车辆燃油效率。

电装表示，公司将继续致力于REVOSIC技术的研发，并将其应用扩展到电动汽车，包括混合动力汽车和纯电动汽车，以助力建设低碳社会。

最近，DENSO 在新闻稿中指出，功率半导体就像人体的肌肉。它根据来自 ECU（大脑）的命令移动逆变器和电机（肢体）等组件。汽车产品中使用的典型功率半导体由硅 (Si) 制成。相比之下，碳化硅在高温、高频和高压环境下具有出色的性能，有助于显着降低逆变器的功率损耗、尺寸和重量。因此，SiC器件因其加速汽车电气化而受到关注。

电装指出，与使用硅功率半导体的传统产品相比，使用该公司碳化硅功率半导体的升压功率模块缩小约30%，功率损耗降低70%。这允许更小的产品和改进的车辆燃料效率。

世界杯买球平台电装工程师还表示，与硅相比，碳化硅电阻低，因此电流更容易流动。由于这个特性，一个原型 SiC 器件会因突然的高电流浪涌而损坏。为此，Denso的多部门协作讨论了如何充分利用SiC的低损耗性能东芝半导体与存储产品，同时防止对市场上的器件造成损坏，并以一个我们部门无法单独提出的想法解决了这个问题：​​使用专用驱动IC高速切断电流。